高純石墨部件廣泛應(yīng)用于半導體晶體生長、外延、離子注入、等離子蝕刻等制造工藝中。

1、晶體生長爐熱場

用于生長半導體晶體的所有工藝都在高溫、侵蝕性環(huán)境下運行，晶體生長爐的熱區(qū)通常配備耐熱和耐腐蝕的高純度石墨部件，如加熱器、坩堝、石墨保溫筒、導流筒等。

2、外延石墨盤

外延工藝是指在單晶襯底上生長一層跟襯底具有相同晶格排列的單晶材料，外延層可以是同質(zhì)外延層(Si/Si)，也可以是異質(zhì)外延層 (SiGe/Si 或 SiC/Si 等)。在硅和碳化硅的外延工藝中，晶片承載在石墨盤上，有桶式、煎餅式和單晶片石墨盤。石墨盤的性能和質(zhì)量對晶片的外延層的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。

石墨盤一般經(jīng)過碳化硅涂層，碳化硅涂層是一種具有致密、耐磨損、高耐腐蝕性和耐熱性以及卓越的導熱性的涂層，碳化硅涂層與石墨部件緊密結(jié)合，延長了石墨部件的使用壽命，并實現(xiàn)了生產(chǎn)半導體材料所需的高純度表面結(jié)構(gòu)。

3、離子注入設(shè)備部件

離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到一定能量，然后注入晶圓材料的表層內(nèi)，以改變材料表層物質(zhì)特性的工藝。

組成離子注入裝置部件的材料要求具有出優(yōu)異耐熱性、導熱性、由離子束引起的腐蝕較少且雜質(zhì)含量低的高純材料。高純石墨滿足應(yīng)用要求，可用于離子注入設(shè)備的飛行管、各種狹縫、電極、電極罩、導管、束終止器等。

4、等離子蝕刻設(shè)備部件

在等離子體蝕刻處理過程中，等離子體反應(yīng)室的部件表面會暴露在等離子體蝕刻氣體中，被腐蝕，造成污染。而石墨在離子轟擊或等離子等極限工作條件下，不易受腐蝕，可用于等離子蝕刻設(shè)備部件，如石墨電極。

5、柔性石墨箔

柔性石墨箔由天然膨脹石墨制成，在半導體應(yīng)用上可提高系統(tǒng)和工藝的性能，最大限度的降低能耗并保證可靠性?？捎糜诎雽w生產(chǎn)設(shè)備中的保溫筒、隔熱材料、柔性層、密封材料等各種零部件。